[1]陈志文 辛延琛 廖中华 马英群 王友彬.基于SECM探究含镓铝合金微区腐蚀行为[J].大众科技,2024,26(1):63-68.
 [J].Popular Science & Technology,2024,26(1):63-68.
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基于SECM探究含镓铝合金微区腐蚀行为()
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《大众科技》[ISSN:1008-1151/CN:45-1235/N]

卷:
26
期数:
2024年第1期
页码:
63-68
栏目:
轻工与化工
出版日期:
2024-01-20

文章信息/Info

作者:
陈志文1 辛延琛1 廖中华1 马英群2 王友彬1 
(1. 广西大学资源环境与材料学院,广西 南宁 530004;2. 广西科技经济开发中心有限公司,广西 南宁 530022)
关键词:
铝合金微区腐蚀扫描电化学显微镜
文献标志码:
A
摘要:
为探究杂质镓(Ga)对铝合金微区腐蚀行为的影响,采用宏观电化学测试技术及扫描电化学显微镜(SECM)研究含镓铝合金在NaCl溶液中的腐蚀行为。研究结果显示,随着Ga含量的升高,铝合金阻抗值由4.80×103 Ω·cm2降至4.07×102 Ω·cm2,腐蚀电位由-0.72 V降至-1.00 V,腐蚀电流密度由1.55 μA/cm2增大到47.90 μA/cm2;从铝合金中溶解出的Ga3+可以再沉积到铝合金表面,破坏其表面氧化膜;铝合金在浸泡0.5 h后即发生明显腐蚀,且腐蚀区域随时间增加不断扩展。研究表明,Ga可增加铝的电化学活性,破坏其表面氧化膜,从而加快腐蚀。

参考文献/References:

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备注/Memo

备注/Memo:
【收稿日期】2023-03-24【基金项目】广西自治区级大学生创新创业训练计划资助项目(20220100005)。【第一作者】陈志文(1998-),男,硕士研究生,研究方向为电化学腐蚀与防护。【通信作者】马英群(1987-),女,工程师,硕士,研究方向为化学工程、制糖工程。
更新日期/Last Update: 2024-05-17