[1]黄海超.一种解决半选择问题的亚阈值9T SRAM 存储单元[J].大众科技,2015,15(05):83-84,82.
A sub-threshold 9T SRAM bitcell solving half-selected issue[J].Popular Science & Technology,2015,15(05):83-84,82.
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一种解决半选择问题的亚阈值9T SRAM 存储单元()
《大众科技》[ISSN:1008-1151/CN:45-1235/N]
- 卷:
-
第15卷
- 期数:
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2015年05期
- 页码:
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83-84,82
- 栏目:
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- 出版日期:
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2016-03-26
文章信息/Info
- Title:
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A sub-threshold 9T SRAM bitcell solving half-selected issue
- 作者:
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黄海超
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同济大学，上海
- 文献标志码:
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A
- 摘要:
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超低电压SRAM（静态随机存储器）是SRAM 设计的一个重要研究方向。传统SRAM 一方面由于静态噪声容限的下降，难以在低电压下正常工作，另一方面存在着严重的半选择问题。文章提出了一种9T（9 管）结构的SRAM 存储单元结构，该结构可以适应亚阈值电压的工作条件，同时可以避免读操作过程中的半选择问题。仿真实验显示，与传统8T SRAM 结构相比，文章的9T 存储单元可以节省至少68%的来自阵列的功
更新日期/Last Update:
2017-02-27